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나노제품

반도체 평탄화용 연마제 (CMP)

현재까지 알려진 반도체 웨이퍼의 미세 평탄용 연마방식은 CMP공정(화학/기계연마)입니다.

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이 공정에서는 연마제 슬러리가 사용 되어 지며 기계적으로 웨이퍼 표면을 절삭하는 효과와 절삭된 표면에 화학적 안정성을 부여하는 두 가지 기능을 합니다.

CMP용액의 입도 분포는 공정상에서 적절한 유동성을 얻기 위해 아주 세밀하고 균일한 입도 분포를 가져야 합니다. 가장 중요한 것은 스크래치에 의한 결함을 방지하기 위해 큰 입자를 제거하여 주는 것 입니다. 알루미나(Al2O3)또는 실리카(SiO2)를 기반으로 하는 CMP 슬러리는 네취 제타밀(Zeta® mills)을 사용함으로써 대용량 생산을 가능하게 합니다.

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